En anuncios casi simultáneos, las corporaciones Intel e IBM dijeron por separado que lograron resolver un enigma que tenía perpleja a la industria de los semiconductores acerca de cómo reducir las pérdidas de energía en transistores microscópicos conforme la tecnología se aproxima a la escala atómica.

Cada compañía dijo que en-contró el modo de remplazar materiales problemáticos pero vitales en los transistores de chips de computadora que han empezado a dejar escapar demasiada corriente al hacerse más pequeños los microcircuitos.

Expertos en tecnología dijeron que esta es la mejora más dramática en la tecnología de los transistores desde la década de 1960, y es crucial para permitir a las compañías del ramo seguir haciendo dispositivos cada vez más pequeños que manejen eficientemente la energía.

También incrementa la competencia entre Intel y su rival Advanced Micro Devices (AMD), que ayudó a IBM a desarrollar su tecnología junto con las corporaciones Sony y Toshiba.

Expertos en semiconductores dijeron que los científicos de Intel e IBM inventaron una manera inteligente de mantener el frenético ritmo de desarrollo de la industria.

Las compañías están compitiendo por hallar nuevas maneras de adherirse a la Ley de Moore, una predicción hecha en 1965 por Gordon Moore, cofundador de Intel, quien dijo que el número de transistores en un microchip debería duplicarse más o menos cada dos años.

Hasta ahora, el desarrollo de chips en general ha avanzado conforme al esquema, lo que ha traído consigo la creación de procesadores más rápidos y poderosos que también producen menos calor y funcionan más económicamente.

Pero en años recientes los científicos han reportado serios problemas al tratar de evitar que la corriente eléctrica se fugue de las partes más diminutas, en una amenaza directa al progreso de la Ley de Moore.

El problema es que el dióxido de silicio que se ha usado más de 40 años como aislante en los transistores, ya se usa de manera tan escasa que cada vez más corriente se escapa, lo cual desperdicia electricidad y también genera calor innecesario.

Intel e IBM dijeron haber descubierton la manera de remplazar ese material con varios metales en dos partes: la compuerta, que enciende y apaga el transistor, y el dieléctrico de la compuerta, una capa aislante que ayuda a mejorar el desempeño del transistor y a conservar energía.

Intel dijo que los nuevos materiales ayudan a mejorar 20 por ciento el desempeño del transistor. IBM no dio a conocer datos concretos de su proyecto.

“Esto le da a toda la industria de los microprocesadores nueva vida en términos de la Ley de Moore, en los tres grandes parámetros de desempeño, consumo de energía y densidad de transistores”, dijo David Lammers, director de un sitio web que concentra a entusiastas de los semiconductores y que es parte de VLSI Research. “Abre la puerta a mejoras muy rápidas”.

Intel parece estar más cerca de poner en el mercado un producto basado en la tecnología.

La empresa con sede en Santa Clara dijo que ya ha creado microprocesadores funcionales, usando los nuevos materiales que empezarán a usarse masivamente en el segundo semestre de 2007.

Intel también dijo que los chips se construirán, usando su nuevo proceso de manufactura, que implica encoger partes de los chips hasta 45 nanómetros, o milmillonésimas de metro, desde el proceso de 65 nanómetros que la empresa utiliza hoy.

El avanzado proceso de manufactura permite a Intel reducir el tamaño de los circuitos en sus chips, y por tanto empacar más transistores en una oblea de silicio a un precio más bajo.

Aunque IBM no venderá los procesadores, la compañía con sede en Nueva York, dijo que empezaría a vender servidores con chips que incluyan esta tecnología en 2008.

“Es algo muy grande para la industria”, dijo Richard Doherty, director de investigación en el Grupo Envisioneering. “Intel será el primero que tendrá esto en producción, pero IBM podía potencialmente tener una ventaja de densidad comparado con el esquema de Intel. Pero ambos deben recibir medallas de oro”.

AMD, basada en Sunnyvale, dijo que no revelaría cuándo espera usar la tecnología en sus propios chips, pero dijo que pretende introducir sus productos de 45 nanómetros a mediados de 2008.

Escala

La tecnología de 45 nanómetros de Intel permitirá a la empresa crear transistores tan pequeños que 20 mil de ellos, colocados lado a lado, tendrían el ancho de un cabello humano.

Volviendo a la vieja analogía, 30 mil de estos diminutos componentes cabrían en la cabeza de un alfiler (que mide 1.5 millones de nanómetros).

Estos componentes son tan rápidos que un fotón, viajando a 300 mil kilómetros por segundo, avanzaría menos de tres milímetros en el tiempo que le tomaría a un transistor prenderse y apagarse.